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激光鐳射光刻機的基本工藝
- 2021-07-23-

半導體芯片的制作分為IC設計、IC制造、IC塊測量三個環節,光刻是IC制造的核心環節,主要作用是將掩模上的芯片電路圖復制到硅芯片上。光刻工藝水平直接決定芯片的工藝水平和性能水平,因此光刻成為IC制造中非常復雜和重要的工藝步驟,激光鐳射光刻機的重要性不言而喻。

光刻技術是指通過光致抗蝕劑照射光來將掩模上的圖案轉印到硅晶片上的技術。光刻原理來源于印刷技術中的照相制版,加工成一個平面形成微圖案。在半導體芯片的制造過程中,激光鐳射光刻機使用激光將電路設計圖寫在光掩模上,然后光源隔著掩模照射到帶抗蝕劑的硅晶片的表面,在曝光區域的抗蝕劑上產生化學效果。根據使用的正片和負片的區別,分為正片光刻和負片光刻兩種基本工藝。

正型光刻會破壞正型光刻膠曝光部分的結構,用溶劑沖洗,使光刻膠上的圖案和掩模上的圖案相同。相反,在負性光刻中,負性抗蝕劑的曝光部分由于固化而無法溶解,掩模部分被溶劑沖洗,抗蝕劑上的圖案與掩模上的圖案相反。

為了追求更小的工藝節點,正在開發在通常的光刻之上用于提高圖案密度的多重圖案光刻技術。雙重模式使特征密度提高了兩倍,這項技術把被賦予的圖案分成兩個密度小的部分。在光刻工序中對光致抗蝕劑進行曝光,通過蝕刻硬掩模,將第1層圖案轉印到下面硬掩模上.然后,將第2層圖案對準第1層圖案,通過第2次光刻曝光和蝕刻復制到硬掩模上,然后對基板進行蝕刻,得到了原來圖案的兩倍的圖案密度。

以上就是激光鐳射光刻機的基本工藝介紹,感謝閱讀。


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